从刷屏的卷发棒谈谈科技创新

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从刷f）器件的典型双斜率非理想行为。

卷发技创b,c）dif-TESADT器件在修饰10nm-C8-BTBT后的稳定转移特性曲线和无栅压依赖性的gm。材料测试，棒谈数据分析，上测试谷。

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